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當前位置:首頁產品中心三維光學輪廓儀Sensofar3D光學輪廓儀S neox在半導體領域應用

3D光學輪廓儀S neox在半導體領域應用

產品簡介

3D光學輪廓儀S neox在半導體領域應用:Sensofar S neox通過白光干涉與共聚焦技術,為晶圓翹曲、TSV通孔、CMP平整度及MEMS器件提供高精度三維測量,助力半導體工藝研發與質量控制。

產品型號:
更新時間:2025-11-20
廠商性質:代理商
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3D光學輪廓儀S neox在半導體領域應用

半導體技術作為信息產業的基石,其制造工藝不斷向著更小的線寬、更復雜的三維結構發展。無論是優良的芯片封裝技術如TSV(硅通孔),還是微機電系統(MEMS)器件,其內部結構的尺寸、形狀、粗糙度以及缺陷情況,直接關系到最終產品的性能和可靠性。在這些環節的質量控制與工藝研發中,非接觸、高精度的三維表面測量技術顯得尤為重要。Sensofar S neox 3D光學輪廓儀,結合了白光干涉和共聚焦技術,為半導體行業提供了一種測量方案。

在半導體制造中,晶圓的翹曲和應力是一個常見參數。過大的翹曲會影響光刻的對準精度,并可能導致后續工藝中的破裂。S neox憑借其大面積拼接能力和快速的共聚焦掃描模式,可以對整個晶圓或大尺寸樣品進行面形測量,快速獲取全場的三維形貌數據,評估翹曲度和應力分布,為工藝優化提供數據支持。

對于三維集成電路中常見的硅通孔(TSV)結構,其深寬比和側壁形貌是工藝控制的重點。傳統的白光干涉儀在測量高深寬比結構時可能會遇到衍射效應等挑戰。S neox通過其5物鏡集成轉盤的變焦技術,可以靈活選擇不同倍率、不同工作距離的物鏡,以適應不同的結構尺寸。同時,其共聚焦模式能夠對側壁的粗糙度進行有效評估,而白光干涉模式則能對孔底的平坦度進行精細測量,這種多模式協作使得對復雜結構的全面表征成為可能。
在化學機械拋光(CMP)后,晶圓表面的平整度和納米級別的表面缺陷直接影響到后續薄膜沉積的質量。S neox的白光干涉模式在此類光滑表面的測量中能發揮其優勢,提供亞納米級的分辨率,精確量化表面的粗糙度參數,并能夠通過其高對比度的光學成像系統,快速定位和識別微米甚至亞微米尺度的劃痕、顆粒等缺陷。
此外,在MEMS器件的特性分析中,雖然S neox本身不是高速攝像機,但其高精度的靜態形貌測量能力對于表征微彈簧的彈性系數、懸臂梁的靜態位移等參數有用。通過測量器件在施加電壓前后形貌的變化,可以間接推導出其工作特性,為設計和驗證提供依據。

Sensofar S neox的3D光學輪廓儀在半導體領域的應用,體現了其對行業特定需求的響應能力。它通過提供快速、全面且非破壞性的三維測量數據,幫助工程師和研究人員深入理解工藝結果,輔助研發周期,并為生產過程的穩定性提供信息。

3D光學輪廓儀S neox在半導體領域應用

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