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技術文章

TECHNICAL ARTICLES

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  • 202512-11
    突破異質材料連接瓶頸!澤攸科技ZEM電鏡助力摩擦焊接研究登頂頂刊

    在航空航天、新能源汽車等制造領域,輕質聚合物與金屬的可靠連接一直是技術瓶頸。傳統膠接易老化,機械緊固又面臨增重和應力集中難題。近日,金屬研究所與中國科學技術大學聯合團隊在這一領域取得重大突破。研究團隊利用澤攸科技ZEM系列掃描電鏡,深入研究了鋁合金與聚醚醚酮(PEEK)的摩擦搭接焊過程,通過建立創新的"熱壓比"模型,成功消除了界面氣泡缺陷,實現了高達95%基材強度的連接。該成果已發表于國際期刊《Thin-WalledStructures》。界面缺陷的精準表征記者節,有些國家又...

  • 202512-9
    產品資訊 | SENSOFAR SensoCOMP發布:為復雜3D檢測任務帶來清晰指引

    點擊藍字關注我們在精密制造和科研領域,3D檢測一直是確保產品質量的關鍵環節。然而,復雜的檢測流程和數據分析往往讓工程師們頭疼不已。今天,SensoCOMP的發布將為這一難題帶來全新解決方案。SensoCOMP是Sensofar推出的全新3D檢測軟件,專為光學輪廓測量而設計,將復雜的3D檢測任務轉化為清晰、有指引的過程。這款軟件旨在簡化尺寸分析,實現與CAD圖的直接比較,為精度、速度和易用性樹立了新標準。全面兼容,精準解析SensoCOMP與Sensofar全系列臺式產品兼容,...

  • 202512-9
    全面了解白光干涉儀的測試與應用

    在半導體芯片制造車間,工程師正用一臺儀器掃描晶圓表面,屏幕上的三維形貌圖以納米級精度還原出微觀結構——這便是白光干涉儀,憑借其非接觸、高精度的測量能力,成為精密制造領域的“微觀顯微鏡”。一、原理揭秘:短相干光解鎖納米級分辨率白光干涉儀的核心在于利用白光寬光譜產生的短相干特性。白光由400-700nm連續光譜組成,相干長度僅2-3微米,當參考光與測量光的光程差接近零時,才會產生高對比度干涉條紋。通過壓電陶瓷驅動參考鏡進行垂直掃描,系統記錄每個像素點光強隨時間的變化曲線,利用包絡...

  • 202512-2
    產品推薦 | 從物理極限到數字自由:澤攸光刻技術如何在小批量制造中破局

    任何關于光刻技術的討論,都繞不開瑞利判據。這個源于天文學家瑞利勛爵的準則,精準地定義了投影式光刻系統所能實現的最小特征尺寸。CD=k1*(λ/NA)這個簡潔公式揭示了決定光刻分辨率的三大核心要素:波長(λ)、數值孔徑(NA)和工藝因子(k1)。它如同一座燈塔,為光刻技術的演進指明了三個方向:縮短波長、增大數值孔徑以及降低工藝因子。然而,每一條路徑都伴隨著巨大的技術挑戰和成本投入。當特征尺寸不斷逼近光源波長時,光的衍射效應愈發顯著,單純依賴物理參數的改進已顯得力不從心。中工程的...

  • 202511-26
    行業資訊 | 澤攸科技ZEM掃描電鏡:心衰藥物研究中的“微觀之眼”推動治療

    慢性心力衰竭是全球性的健康挑戰,高發病率和高死亡率給無數家庭帶來沉重負擔。盡管現有藥物能一定程度緩解癥狀,但傳統全身給藥方式難以在心臟病變部位維持理想濃度,且易引發副作用,限制療效突破。近日,一項發表于《InternationalJournalofPharmacology》的研究為解決這一難題提供了新思路。唐山市工人醫院團隊創新性地利用介孔納米生物活性玻璃作為藥物載體,負載心衰治療藥物沙庫巴曲纈沙坦,構建了一種新型靶向遞送系統。這一策略旨在提升藥物在心臟部位的濃度,增強治療效...

  • 202511-24
    蔡司EVO系列掃描電鏡標準化操作全流程解析

    作為材料科學領域的高級分析工具,蔡司EVO系列掃描電鏡憑借其模塊化設計和智能化操作界面,為科研人員提供了從基礎成像到復雜分析的全流程解決方案。本文系統梳理其操作流程與關鍵技術要點。一、開機準備與設備自檢蔡司掃描電鏡啟動前需確認環境參數:溫度控制在20-24℃,濕度低于65%,UPS電源供電正常。操作人員需佩戴防靜電手套,避免污染樣品或損壞電子元件。開啟主機背面空氣開關后,依次按下Standby和On按鈕,系統進入自檢程序。此時需觀察真空泵運行狀態,確保機械泵與分子泵正常啟動,...

  • 202511-20
    司特爾金相制樣切割機:性能與用材的精密之道

    在材料科學研究與工業質檢領域,金相試樣的制備質量直接影響顯微分析的準確性。司特爾作為金相制樣設備的品牌,其金相制樣切割機憑借杰出的性能和精心的用材設計,成為實驗室制備高質量試樣的核心工具。一、核心性能解析1.精準切割能力:司特爾金相制樣切割機采用高精度無級變速電機,搭配自適應進給系統,可精準控制切割速度與力度。針對不同硬度材料,設備能自動調節切割參數,確保切口平整度誤差小于5μm,避免材料組織因切割應力而變形。2.高效冷卻系統:配備雙通道內冷設計,切割時通過精密噴嘴將冷卻液(...

  • 202511-20
    精密三維測量技術突破,Sensofar為半導體制造注入新動能

    在半導體制造工藝快速發展的今天,精密三維測量技術正成為推動行業進步的關鍵力量。近日,一場以"半導體制造中的精密三維測量技術"為主題的網絡研討會,深入探討了該領域的突破與應用前景。第三代半導體材料的精密測量挑戰隨著金剛石、碳化硅和鈣鈦礦等第三代半導體材料的廣泛應用,晶圓制造和材料表征面臨著新的技術要求。通過干涉測量技術結合智能算法,研究人員能夠精準測量具有微米級顆粒和納米級特征的復雜形貌,為新材料研發提供可靠支撐。異構集成技術的創新突破異構集成技術通過將微透鏡、共封裝光學元件和...

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